工藝技術(shù)和應(yīng)用條件上的區(qū)別使得目前市場(chǎng)上的清洗設(shè)備也有明(顯)的差異化，目前，市場(chǎng)上主要的清洗設(shè)備有單晶圓清洗設(shè)備、自動(dòng)清洗臺(tái)和洗刷機(jī)三種。在21世紀(jì)致今的跨度上來看，單晶圓清洗設(shè)備、自動(dòng)清洗臺(tái)、洗刷機(jī)是主要的清洗設(shè)備。單晶圓清洗設(shè)備一般是指采取旋轉(zhuǎn)噴淋的方式，用化學(xué)噴霧對(duì)單晶圓進(jìn)行清洗的設(shè)備，相對(duì)自動(dòng)清洗臺(tái)清洗效率較低，產(chǎn)能較低，但有著極高的制程環(huán)境控制能力與微粒去除能力。自動(dòng)工作站，也稱槽式全自動(dòng)清洗設(shè)備，是指在化學(xué)浴中同時(shí)清洗多個(gè)晶圓的設(shè)備優(yōu)點(diǎn)是清洗產(chǎn)能高，適合大批量生產(chǎn)，但無法達(dá)到單晶圓清洗設(shè)備的清洗精度，很難滿足在目前(頂)尖技術(shù)下全流程中的參數(shù)要求。并且，由于同時(shí)清洗多個(gè)晶圓，自動(dòng)清洗臺(tái)無法避免交叉污染的弊端。洗刷器也是采取旋轉(zhuǎn)噴淋的方式，但配合機(jī)械擦拭，有高壓和軟噴霧等多種可調(diào)節(jié)模式，用于適合以去離子水清洗的工藝中， 包括鋸晶圓、晶圓磨薄、晶圓拋光、研磨、CVD等環(huán)節(jié)中，尤其是在晶圓拋光后清洗中占有重要地位。

       單晶圓清洗設(shè)備與自動(dòng)清洗臺(tái)在應(yīng)用環(huán)節(jié)上沒有較大差異，兩者的主要區(qū)別在于清洗方式和精度上的要求，以45nm為關(guān)鍵分界點(diǎn)。簡(jiǎn)單而言，自動(dòng)清洗臺(tái)是多片同時(shí)清洗，的優(yōu)勢(shì)在于設(shè)備成熟、產(chǎn)能較高，而單晶圓清洗設(shè)備是逐片清洗，優(yōu)勢(shì)在于清洗精度高，背面、斜面及邊緣都能得到有效的清洗，同時(shí)避免了晶圓片之間的交叉污染。45nm之前，自動(dòng)清洗臺(tái)即可以滿足清洗要求，在目前仍然有所應(yīng)用；而在45以下的工藝節(jié)點(diǎn)，則依賴于單晶圓清洗設(shè)備達(dá)到清洗精度要求。在未來工藝節(jié)點(diǎn)不斷減小的情況下，單晶圓清洗設(shè)備是目前可預(yù)測(cè)技術(shù)下清洗設(shè)備的主流。
       plasma等離子清洗機(jī)適用于對(duì)原料和半成品每一步可能存在的雜質(zhì)進(jìn)行清洗，以避免雜質(zhì)影響產(chǎn)品的質(zhì)量和下游產(chǎn)品的性能，等離子清洗設(shè)備對(duì)于單晶硅的生產(chǎn)、光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵工藝以及封裝工藝中的使用情況。
       銅引線框架經(jīng)等離子清洗機(jī)處理后，可除去有(機(jī))物和氧化層，同時(shí)活(化)和粗化表面，保證打線和封裝的可靠性。引線連接引線采用plasma等離子清洗機(jī)能有效地清(除)污垢，使鍵合區(qū)表面粗糙度增大，可明(顯)提高引線的粘接力，大大提高封裝器件的可靠性。
       倒裝片封裝技術(shù)隨著倒裝片封裝技術(shù)的發(fā)展，plasma等離子清洗機(jī)已經(jīng)成為提高其產(chǎn)量的必要手段。采用plasma等離子清洗機(jī)處理芯片及封裝載板，不僅可獲得超純化的焊面，而且可大大提高焊面活性，有效防止虛焊，減少焊縫空洞，提高焊縫邊緣高度和包覆性，提高封裝的機(jī)械強(qiáng)度，減小由于不同材料熱膨脹系數(shù)造成的焊縫間的內(nèi)剪力，提高產(chǎn)品的可靠性和壽命。
       陶瓷封裝在陶瓷封裝中，常用金屬漿的印制線路板作為粘合、封蓋的密封區(qū)域。電鍍前先用plasma等離子清洗機(jī)清洗這些材料表面的Ni、Au，可以清(除)有(機(jī))物中的鉆污物，顯著提高鍍層質(zhì)量。
       晶片光刻膠去除傳統(tǒng)的化學(xué)濕法去除晶片表面光刻膠存在反應(yīng)不能準(zhǔn)確控制，清洗不徹底，易引入雜質(zhì)等缺點(diǎn)。plasma等離子清洗機(jī)控制能力強(qiáng)，一致性好，不但能完(全)去除光刻膠和其它有(機(jī))物，而且能活(化)、粗化晶片表面，提高晶片表面的浸潤(rùn)性。